laboratoire pierre aigrain
électronique et photonique quantiques
 
laboratoire pierre aigrain
 

Séminaire du 09/06/2008

François H. Julien<br class='autobr' />(Institut d’Electronique Fondamentale, Université Paris-Sud)
Nanostructures GaN/AIN pour les applications intersousbandes dans le proche-infrarouge

Les nitrures d’éléments III (GaN, AlN, et leurs alliages…),
grâce à la discontinuité de potentiel très élevée en bande de
conduction offerte par leurs hétérostructures (1.7 eV), ouvrent de
nouvelles perspectives pour réaliser des dispositifs intersousbandes
dans le domaine spectral proche-infrarouge et notamment aux longueurs
d’onde des télécommunications par fibre optique (1,3-1,55 μm). A
titre d’illustration, je présenterai les travaux récents sur le
transport tunnel entre puits quantiques pour la réalisation de
modulateurs ultrarapides aux longueurs d’onde télécoms, sur les
photodétecteurs GaN/AlN/AlGaN à cascade quantique et sur la
luminescence intersousbande de puits quantiques GaN/AlN à
température ambiante. Je discuterai enfin les propriétés
intrabandes des boîtes quantiques auto-organisées en GaN/AlN et
notamment l’observation de la luminescence entre états pz et s à
1,5 μm ainsi que la mesure du T1 et du T2 intrabande.